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NTS4173P
TYPICAL CHARACTERISTICS
600
500
400
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
12
10
8
V DS
QT
V GS
16
14
12
10
300
6
8
200
100
0
0
C rss
C oss
5
10
15
20
25
30
4
2
0
Q gs
0
Q gd
2
4
6
V DS = ? 15 V
I D = ? 1.2 A
T J = 25 ° C
8
10
6
4
2
0
100
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
V GS = ? 4.5 V
V DD = ? 15 V
I D = ? 1.2 A
t d(off)
t f
t r
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
10
10
t d(on)
1.0
T J = 150 ° C
125 ° C
25 ° C
T J = ? 55 ° C
1.0
1.0
10
100
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.4
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
20
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
I D = ? 250 m A
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0.7
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
http://onsemi.com
4
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
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